半導體晶圓檢測設備制造過程分享

 

　　硅提純：將沙石原料放入一個溫度約為2000 ℃、有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應（碳與氧結合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅。

 

　　單晶硅生長：將高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%，成為電子級硅。

 

　　晶圓成型：方法叫直拉法，用直拉法生長后，單晶棒將按適當的尺寸進行切割，然后進行研磨，將凹凸的切痕磨掉，再用化學機械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡，晶圓片制造就完成了。

 

　　半導體晶圓檢測設備主要用于半導體制造過程中檢測芯片性能與缺陷。半導體檢測設備貫穿于半導體生產過程中，可分為晶圓制造環節的檢測設備和封測環節的檢測設備。晶圓制造環節的檢測設備主要用于外觀檢測，是一種物理性、功能性的測試。

 

　　封測環節的檢測設備主要用于測試芯片的性能和缺陷.

 

　　半導體晶圓檢測設備具有以下優點：

 

　　適用性廣：可適用于4—8英寸有圖形晶圓。

 

　　檢測速度快：有圖形晶圓：缺陷數量在200個以內的情況下，5分鐘/片。

 

　　檢測精度高：系統分辨率：0.2-0.8μm。

 

　　操作安全：在檢測設備與開盒器之間建立一種通訊機制，彼此形成互鎖。不但確保了操作安全性，防止人為失誤，還能避免晶圓從晶舟散落出來，導致晶圓碎片的隱患。